www.wikidata.id-id.nina.az

Programmable ROM Programmble ROM PROM adalah sebuah jenis memori digital dimana keadaan setiap bit dalam memori dikunci

Programmable ROM

Programmble ROM (PROM) adalah sebuah jenis memori digital, dimana keadaan setiap bit dalam memori dikunci oleh sekring atau antisekring (eFUSE/sekring elektronik juga dapat digunakan). Ini adalah salah satu jenis memori hanya-baca (ROM). Data di dalam ROM jenis apapun permanen dan tidak dapat diubah. Memori PROM digunakan dalam perangkat elektronik digital untuk menyimpan data permanen, yang biasanya berupa program tingkat rendah, seperti firmware atau kode mikro. Perbedaan utama antara PROM dan ROM adalah penulisan data ke ROM terjadi selama produksi, sedangkan untuk PROM, pemrograman data terjadi setelah produksi. Oleh karena itu, ROM biasanya hanya digunakan untuk produksi skala besar dengan data yang telah diverifikasi dengan baik, sedangkan PROM digunakan untuk memungkinkan pengujian subset perangkat secara berurutan oleh perusahaan sebelum pembakaran data.

PROM dibuat tanpa data (kosong) di dalamnya, dan, tergantung pada teknologinya, dapat diprogram ketika pembuatan wafer, tes akhir, atau di dalam sistem. Programmer PROM menulis data ke chip PROM kosong. Ini memungkinkan penyimpanan memori PROM tanpa data dan pemrograman pada menit terakhir oleh perusahaan untuk menghindari komitmen volume besar. Memori ini sering digunakan dalam pengendali mikro, konsol permainan, telepon genggam, tanda pengenal frekuensi radio (RFID), perangkat medis implan, antarmuka multimedia definisi tinggi (HDMI), dan dalam banyak produk elektronik konsumen dan otomotif lainnya.

Sejarah Sunting

Wen Tsing Chow, yang bekerja untuk Divisi Arma dari Korporasi Amerika Serikat Bosch Arma di Garden City, New York mengembangkan PROM pada tahun 1956. Memori PROM dikembangkan karena ada permintaan dari Angkatan Udara Amerika Serikat untuk menemukan cara yang lebih aman dan fleksibel untuk menyimpan konstanta penargetan di komputer digital peluru kendali balistik antarbenua (ICBM) Atlas E/F. Ketika Atlas E/F menjadi rudal utama pasukan ICBM Amerika Serikat, teknologi dan paten memori PROM dirahasiakan selama beberapa tahun. Istilah membakar (bahasa Inggris: burn), yang mengacu pada proses pemrograman PROM, juga ada dalam paten asal memori PROM. Salah satu penerapan pembakaran pertama adalah pembakaran betul-betul kumis/whisker internal dioda-dioda dengan arus yang berlebihan untuk memutus sirkuit. Programmer PROM pertama juga dikembangkan oleh insinyur-insinyur Arma yang dipimpin oleh Mr. Chow dan berada di laboratorium Arma di Garden City dan markas Komando Udara Strategic Air Command (SAC).

Memori program hanya sekali (OTP/one time programmable) adalah jenis spesial memori non-volatil yang hanya memungkinkan penulisan data ke memori sekali. Setelah pemrograman data, memori mempertahankan isinya bahkan ketika kehilangan daya (non-volatil). Memori ini digunakan dalam aplikasi yang membutuhkan pembacaan data yang andal dan berulang. Misalnya, kode boot, kunci enkripsi, dan parameter konfigurasi untuk sirkuit analog, sensor, atau tampilan. OTP non-volatil memiliki luas struktur memori yang lebih kecil dan penggunaan listrik yang lebih sedikit daripada jenis memori non-volatil lain, seperti eFuse atau EEPROM. Oleh karena itu, banyak produk memakai memori OTP, mulai dari mikroprosesor, driver tampilan, hingga sirkuit terpadu manajemen daya (PMIC).

Susunan memori semikonduktor OTP berbasis antisekring tersedia di pasar setidaknya sejak 1969. Awalnya, sel bit antisekring bergantung pada peledakan kapasitor antara jalur konduktif yang menyilang. Texas Instruments mengembangkan antisekring MOS pemecah gerbang oksida pada tahun 1979. Antisekring MOS gerbang oksida ganda dua transistor (2T) diperkenalkan pada tahun 1982. Teknologi pemecahan oksida awal memiliki berbagai masalah pembesaran skala, pemrograman, ukuran, dan produksi yang mencegah produksi skala besar perangkat memori yang menggunakan teknologi ini.

Walaupun PROM berbasis antisekring ada selama beberapa dekade, sebelum 2001, CMOS umum tidak memilikinya. Pada tahun itu, Kilopass Technology Inc. mematenkan teknologi sel bit antisekring 1T, 2T, dan 3,5T, yang menggunakan proses CMOS biasa. Ini memungkinkan adanya memori PROM dalam chip logika CMOS. Proses node antisekring pertama yang dapat diterapkan dalam chip CMOS umum adalah proses node 0,18 µm. Langkah-langkah difusi spesial untuk membuat elemen pemrograman antisekring tidak diperlukan, karena ambang pemecahan gerbang oksida lebih rendah daripada ambang pemecahan persimpangan. Pada tahun 2005, perangkat antisekring saluran terpisah diperkenalkan oleh Sidense. Dalam sel bit saluran terpisah, perangkat (gerbang) oksida tebal (IO) dan tipis digabungkan menjadi sebuah transistor (1T) dengan gerbang polisilikon umum.

Pemrograman Sunting

PROM Texas Instruments tipe TBP18SA030N

Dalam PROM baru biasa, semua bit di dalamnya dibaca sebagai "1". Membakar bit sekring ketika menjalani proses pemrograman "meledakkan" sekring, yang menyebabkan bit-bit dalam PROM dibaca sebagai "0". Proses "peledakan" sekring tidak dapat dikembalikan. Beberapa chip PROM dapat diprogram ulang jika data barunya menggantikan bit-bit "1" dengan "0". Beberapa set instruksi CPU (seperti MOS Technology 6502) memanfaatkan ini dengan mendefinisikan instruksi break (BRK) dengan kode operasi '00'. Jika ada instruksi yang salah, itu bisa "diprogram ulang" ke BRK yang menyebabkan CPU memindahkan kendali ke sebuah patch. Ini akan mengeksekusi instruksi yang benar dan akan kembali ke instruksi setelah BRK.

Sel bit diprogram dengan memberi denyut listrik bertegangan tinggi (yang tidak ditemui selama penggunaan biasa), yang melintasi gerbang dan substrat transistor oksida tipis (sekitar 6 V untuk oksida dengan ketebalan 2 nm, atau 30 MV/cm) untuk memecahkan oksida antara gerbang dan substrat. Saluran inversi dalam substrat yang berada di bawah gerbang akan terbentuk dari adanya tegangan positif pada gerbang transistor. Ini menyebabkan arus terowongan (tunneling current) mengalir melewati oksida, yang menghasilkan perangkap-perangkap dalam oksida. Akibatnya, terjadi peningkatan arus melalui oksida, pelelehan oksida, dan pembentukan saluran konduktif dari gerbang ke substrat. Arus yang dibutuhkan untuk membentuk saluran konduktif adalah sekitar 100 µA/100 nm2 dan pemecahan terjadi setelah kira-kira 100 µs (mikrodetik) atau kurang dari itu.

Catatan Sunting

  1. Han-Way Huang (5 December 2008). . Cengage Learning. hlm. 22. ISBN 978-1-111-81079-5. Diarsipkan dari versi asli tanggal 27 April 2018. 
  2. Marie-Aude Aufaure; Esteban Zimányi (17 January 2013). . Springer. hlm. 136. ISBN 978-3-642-36318-4. Diarsipkan dari versi asli tanggal 27 April 2018. 
  3. See US Patent 4184207 2018-04-27 di Wayback Machine. - High density floating gate electrically programmable ROM, and US Patent 4151021 2018-04-27 di Wayback Machine.Diarsipkan pada di - Method of making a high density floating gate electrically programmable ROM
  4. Chip Planning Portal. ChipEstimate.com. Retrieved on 2013-08-10.
  5. Lihat Paten AS 7402855 2015-09-04 di Wayback Machine. perangkat antisekring saluran terpisah
  6. Wlodek Kurjanowicz (2008). (PDF). Diarsipkan dari versi asli (PDF) tanggal 2016-03-04. Diakses tanggal 2009-09-04. 

Referensi Sunting

Pranala luar Sunting

wikipedia, wiki, buku, buku, perpustakaan, artikel, baca, unduh, gratis, unduh gratis, mp3, video, mp4, 3gp, jpg, jpeg, gif, png, gambar, musik, lagu, film, buku, permainan, permainan.
Tanggal penerbitan:
Programmble ROM PROM adalah sebuah jenis memori digital dimana keadaan setiap bit dalam memori dikunci oleh sekring atau antisekring eFUSE sekring elektronik juga dapat digunakan Ini adalah salah satu jenis memori hanya baca ROM Data di dalam ROM jenis apapun permanen dan tidak dapat diubah Memori PROM digunakan dalam perangkat elektronik digital untuk menyimpan data permanen yang biasanya berupa program tingkat rendah seperti firmware atau kode mikro Perbedaan utama antara PROM dan ROM adalah penulisan data ke ROM terjadi selama produksi sedangkan untuk PROM pemrograman data terjadi setelah produksi Oleh karena itu ROM biasanya hanya digunakan untuk produksi skala besar dengan data yang telah diverifikasi dengan baik sedangkan PROM digunakan untuk memungkinkan pengujian subset perangkat secara berurutan oleh perusahaan sebelum pembakaran data PROM dibuat tanpa data kosong di dalamnya dan tergantung pada teknologinya dapat diprogram ketika pembuatan wafer tes akhir atau di dalam sistem Programmer PROM menulis data ke chip PROM kosong Ini memungkinkan penyimpanan memori PROM tanpa data dan pemrograman pada menit terakhir oleh perusahaan untuk menghindari komitmen volume besar Memori ini sering digunakan dalam pengendali mikro konsol permainan telepon genggam tanda pengenal frekuensi radio RFID perangkat medis implan antarmuka multimedia definisi tinggi HDMI dan dalam banyak produk elektronik konsumen dan otomotif lainnya Daftar isi 1 Sejarah 2 Pemrograman 3 Catatan 4 Referensi 5 Pranala luarSejarah SuntingWen Tsing Chow yang bekerja untuk Divisi Arma dari Korporasi Amerika Serikat Bosch Arma di Garden City New York mengembangkan PROM pada tahun 1956 1 2 Memori PROM dikembangkan karena ada permintaan dari Angkatan Udara Amerika Serikat untuk menemukan cara yang lebih aman dan fleksibel untuk menyimpan konstanta penargetan di komputer digital peluru kendali balistik antarbenua ICBM Atlas E F Ketika Atlas E F menjadi rudal utama pasukan ICBM Amerika Serikat teknologi dan paten memori PROM dirahasiakan selama beberapa tahun Istilah membakar bahasa Inggris burn yang mengacu pada proses pemrograman PROM juga ada dalam paten asal memori PROM Salah satu penerapan pembakaran pertama adalah pembakaran betul betul kumis whisker internal dioda dioda dengan arus yang berlebihan untuk memutus sirkuit Programmer PROM pertama juga dikembangkan oleh insinyur insinyur Arma yang dipimpin oleh Mr Chow dan berada di laboratorium Arma di Garden City dan markas Komando Udara Strategic Air Command SAC Memori program hanya sekali OTP one time programmable adalah jenis spesial memori non volatil yang hanya memungkinkan penulisan data ke memori sekali Setelah pemrograman data memori mempertahankan isinya bahkan ketika kehilangan daya non volatil Memori ini digunakan dalam aplikasi yang membutuhkan pembacaan data yang andal dan berulang Misalnya kode boot kunci enkripsi dan parameter konfigurasi untuk sirkuit analog sensor atau tampilan OTP non volatil memiliki luas struktur memori yang lebih kecil dan penggunaan listrik yang lebih sedikit daripada jenis memori non volatil lain seperti eFuse atau EEPROM Oleh karena itu banyak produk memakai memori OTP mulai dari mikroprosesor driver tampilan hingga sirkuit terpadu manajemen daya PMIC Susunan memori semikonduktor OTP berbasis antisekring tersedia di pasar setidaknya sejak 1969 Awalnya sel bit antisekring bergantung pada peledakan kapasitor antara jalur konduktif yang menyilang Texas Instruments mengembangkan antisekring MOS pemecah gerbang oksida pada tahun 1979 3 Antisekring MOS gerbang oksida ganda dua transistor 2T diperkenalkan pada tahun 1982 4 Teknologi pemecahan oksida awal memiliki berbagai masalah pembesaran skala pemrograman ukuran dan produksi yang mencegah produksi skala besar perangkat memori yang menggunakan teknologi ini Walaupun PROM berbasis antisekring ada selama beberapa dekade sebelum 2001 CMOS umum tidak memilikinya Pada tahun itu Kilopass Technology Inc mematenkan teknologi sel bit antisekring 1T 2T dan 3 5T yang menggunakan proses CMOS biasa Ini memungkinkan adanya memori PROM dalam chip logika CMOS Proses node antisekring pertama yang dapat diterapkan dalam chip CMOS umum adalah proses node 0 18 µm Langkah langkah difusi spesial untuk membuat elemen pemrograman antisekring tidak diperlukan karena ambang pemecahan gerbang oksida lebih rendah daripada ambang pemecahan persimpangan Pada tahun 2005 perangkat antisekring saluran terpisah 5 diperkenalkan oleh Sidense Dalam sel bit saluran terpisah perangkat gerbang oksida tebal IO dan tipis digabungkan menjadi sebuah transistor 1T dengan gerbang polisilikon umum Pemrograman Sunting nbsp PROM Texas Instruments tipe TBP18SA030NDalam PROM baru biasa semua bit di dalamnya dibaca sebagai 1 Membakar bit sekring ketika menjalani proses pemrograman meledakkan sekring yang menyebabkan bit bit dalam PROM dibaca sebagai 0 Proses peledakan sekring tidak dapat dikembalikan Beberapa chip PROM dapat diprogram ulang jika data barunya menggantikan bit bit 1 dengan 0 Beberapa set instruksi CPU seperti MOS Technology 6502 memanfaatkan ini dengan mendefinisikan instruksi break BRK dengan kode operasi 00 Jika ada instruksi yang salah itu bisa diprogram ulang ke BRK yang menyebabkan CPU memindahkan kendali ke sebuah patch Ini akan mengeksekusi instruksi yang benar dan akan kembali ke instruksi setelah BRK Sel bit diprogram dengan memberi denyut listrik bertegangan tinggi yang tidak ditemui selama penggunaan biasa yang melintasi gerbang dan substrat transistor oksida tipis sekitar 6 V untuk oksida dengan ketebalan 2 nm atau 30 MV cm untuk memecahkan oksida antara gerbang dan substrat Saluran inversi dalam substrat yang berada di bawah gerbang akan terbentuk dari adanya tegangan positif pada gerbang transistor Ini menyebabkan arus terowongan tunneling current mengalir melewati oksida yang menghasilkan perangkap perangkap dalam oksida Akibatnya terjadi peningkatan arus melalui oksida pelelehan oksida dan pembentukan saluran konduktif dari gerbang ke substrat Arus yang dibutuhkan untuk membentuk saluran konduktif adalah sekitar 100 µA 100 nm2 dan pemecahan terjadi setelah kira kira 100 µs mikrodetik atau kurang dari itu 6 Catatan Sunting Han Way Huang 5 December 2008 Embedded System Design with C805 Cengage Learning hlm 22 ISBN 978 1 111 81079 5 Diarsipkan dari versi asli tanggal 27 April 2018 Parameter url status yang tidak diketahui akan diabaikan bantuan Marie Aude Aufaure Esteban Zimanyi 17 January 2013 Business Intelligence Second European Summer School eBISS 2012 Brussels Belgium July 15 21 2012 Tutorial Lectures Springer hlm 136 ISBN 978 3 642 36318 4 Diarsipkan dari versi asli tanggal 27 April 2018 Parameter url status yang tidak diketahui akan diabaikan bantuan See US Patent 4184207 Diarsipkan 2018 04 27 di Wayback Machine High density floating gate electrically programmable ROM and US Patent 4151021 Diarsipkan 2018 04 27 di Wayback Machine Diarsipkan pada di Method of making a high density floating gate electrically programmable ROM Chip Planning Portal ChipEstimate com Retrieved on 2013 08 10 Lihat Paten AS 7402855 Diarsipkan 2015 09 04 di Wayback Machine perangkat antisekring saluran terpisah Wlodek Kurjanowicz 2008 Evaluating Embedded Non Volatile Memory for 65nm and Beyond PDF Diarsipkan dari versi asli PDF tanggal 2016 03 04 Diakses tanggal 2009 09 04 Parameter url status yang tidak diketahui akan diabaikan bantuan Referensi SuntingBuku Pegangan Desain Memori Intel 1977 archive org Lembar data Intel PROM intel vintage info Lihat Paten Switch Matrix AS 3028659 di Kantor Paten AS Diarsipkan 2015 10 16 di Wayback Machine atau Google Lihat Paten Teknologi Kilopass AS Sel memori semikonduktor kepadatan tinggi dan susunan memori menggunakan transistor tunggal dan memiliki kerusakan oksida gerbang variabel Paten 6940751 di Kantor Paten AS Diarsipkan 2015 09 04 di Wayback Machine atau Google Lihat Paten Sidese US Split Channel Antifuse Array Architecture 7402855 di Kantor Paten AS Diarsipkan 2015 09 04 di Wayback Machine atau Google Lihat Paten Metode Manufaktur Sirkuit Terpadu Semikonduktor AS 3634929 di Kantor Paten AS Diarsipkan 2015 09 04 di Wayback Machine atau Google CHOI dkk 2008 Struktur Memori Non Volatile Baru untuk Arsitektur FPGA Untuk tabel Keuntungan dan Kerugian lihat Ramamoorthy G Dataquest Insight Nonvolatile Memory IP Market Worldwide 2008 2013 halaman 10 Gartner 2009Pranala luar SuntingMelihat ke dalam chip PROM tahun 1970 an yang menyimpan data dalam sekring mikroskopis menampilkan cetakan PROM 256x4 MMI 5300 Diperoleh dari https id wikipedia org w index php title Programmable ROM amp oldid 23670271